REM / EDX - Rasterelektronenmikroskopie
Das Rasterelektronenmikroskop dient im wesentlichen dazu die Topographie rauher Oberflächen (Topographiekontrast) bzw. bei entsprechenden Proben Kristallorientierungen (Channelingkontrast), Materialunterschiede (Materialkontrast) und evtl. elektrische Potentiale (Potentialkontrast) oder Magnetfelder (Magnetkontrast) abzubilden.
Durch simultane Erzeugung charakteristischer Röntgenstrahlung bietet die Rasterelektronenmikroskopie außerdem die Möglichkeit von visuell lokalisierbaren Mikrobereichen Angaben über die Elementverteilung im betrachteten Probenbereich zu machen (Röntgenmikrobereichsanalyse, EDX).
Im Unterschied zum Lichtmikroskop und Transmissionselektronenmikroskop (TEM), die direkte Bilder liefern, erzeugt das REM indirekte Bilder; d.h. das signalerzeugende und das signalverarbeitende System sind voneinander getrennt.
Das REM liefert ein synthetisches Abbild der Wechselwirkungsprozesse zwischen dem auftreffenden Elekronenstrahl und einem bestimmten Probenvolumen an der Oberfläche. Dabei wird die Probenoberfläche mit einem gebündelten Elektronenstrahl (Primärelektronen: PE) abgerastert und synchron dazu das entstandene Signal (Sekundärelektronen: SE, Rückstreuelektronen: RE) nach elektronischer Verarbeitung (Kontrast-, Helligkeitsmodulation) auf einem Bildschirm dargestellt. Unterschiedliche Vergrößerungen entstehen durch Änderung der Ströme in den Ablenkspulen: so werden Probenbereiche unterschiedlicher Größe abgerastert, das Signal aber jeweils auf dieselbe Bildschirmgröße übertragen.
